MRFE6VP100HR5
producent:
NXP USA Inc.
Opis:
RF MOSFET LDMOS 50V NI780-4
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Status produktu:
Aktywny
Rodzaj montażu:
Mocowanie podwozia
Napięcie — znamionowe:
133 W
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Taśma cięcia (CT)
Digi-Reel®
Zestaw:
-
Rysunek hałasu:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
NI-780-4
Napięcie — test:
50 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Częstotliwość:
512 MHz
Zyski:
26dB
Opakowanie / Pudełko:
NI-780-4
Bieżący — Test:
100 mA
Moc - Wyjście:
100w
technologii:
LDMOS
Prąd znamionowy (ampery):
-
Numer produktu podstawowego:
MRFE6
Wprowadzenie
RF Mosfet 50 V 100 mA 512 MHz 26 dB 100 W NI-780-4
ZAŁĄCZONE PRODUKTY
| Obraz | część # | Opis | |
|---|---|---|---|
|
|
AFT21S230SR3 |
FET RF 65V 2.11GHZ NI780S-6
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: