AFT27S006NT1
producent:
NXP USA Inc.
Opis:
MOSFET RF LDMOS 28 V PLD1,5 W
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory FET, MOSFET RF FET, MOSFET
Status produktu:
Aktywny
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Napięcie — znamionowe:
65 V
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Taśma cięcia (CT)
Digi-Reel®
Zestaw:
-
Rysunek hałasu:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
PLD-1,5W
Napięcie — test:
28 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Częstotliwość:
2,17 GHz
Zyski:
22dB
Opakowanie / Pudełko:
PLD-1,5W
Bieżący — Test:
70 mA
Moc - Wyjście:
28,8dBm
technologii:
LDMOS
Prąd znamionowy (ampery):
-
Numer produktu podstawowego:
AFT27
Wprowadzenie
RF Mosfet 28 V 70 mA 2,17GHz 22dB 28,8dBm PLD-1,5W
ZAŁĄCZONE PRODUKTY
| Obraz | część # | Opis | |
|---|---|---|---|
|
|
AFT21S230SR3 |
FET RF 65V 2.11GHZ NI780S-6
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: