PDTB113ZT,215
producent:
Nexperia USA Inc.
Opis:
TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory Bipolarne (BJT) Pojedyncze, wstępnie spolaryzowane t
Prąd - kolektor (Ic) (maks.):
500 mA
Status produktu:
Aktywny
Typ tranzystora:
PNP – wstępnie obciążony
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Taśma cięcia (CT)
Digi-Reel®
Zestaw:
-
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic:
300 mV przy 2,5 mA, 50 mA
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):
50 V
Zestaw urządzeń dostawcy:
TO-236AB
Rezystor - Baza (R1):
1 kOhm
Mfr:
Nexperia USA Inc.
Rezystor – podstawa emitera (R2):
10 kiloomów
Prąd — odcięcie kolektora (maks.):
100nA (ICBO)
Moc — maks:
250 mW
Opakowanie / Pudełko:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Wzmocnienie prądu stałego (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
70 @ 50mA, 5V
Numer produktu podstawowego:
PDTB113
Wprowadzenie
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 500 mA 250 mW Nawierzchnia TO-236AB
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: