DTD113ZKT146
producent:
Półprzewodnik Rohma
Opis:
TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe
Specyfikacje
Kategoria:
Dyskretne produkty półprzewodnikowe Tranzystory Bipolarne (BJT) Pojedyncze, wstępnie spolaryzowane t
Prąd - kolektor (Ic) (maks.):
500 mA
Status produktu:
Aktywny
Typ tranzystora:
NPN — wstępne uprzedzenie
Częstotliwość - Przejście:
200 MHz
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Taśma cięcia (CT)
Digi-Reel®
Zestaw:
-
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic:
300 mV przy 2,5 mA, 50 mA
Napięcie — awaria kolektora-emitera (maks.):
50 V
Zestaw urządzeń dostawcy:
SMT3
Rezystor - Baza (R1):
1 kOhm
Mfr:
Rohm Semiconductor
Rezystor – podstawa emitera (R2):
10 kiloomów
Prąd — odcięcie kolektora (maks.):
500nA
Moc — maks:
200 mW
Opakowanie / Pudełko:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Wzmocnienie prądu stałego (hFE) (Min) @ Ic, Vce:
82 przy 50 mA, 5 V
Numer produktu podstawowego:
DTD113
Wprowadzenie
Transistor dwubiegunowy (BJT) NPN - 50 V 500 mA 200 MHz 200 mW SMT3
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: